Now showing items 1-2 of 2

    • Лазер на кристалле Pr:YLF при накачке InGaN лазерным диодом 

      Демеш, М. П.; Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Низамутдинов, А. С.; Морозов, О. С.; Кораблева, С. Л.; Семашко, В. В. (БНТУ, 2021)
      На основе абсорбционно-люминесцентных свойств кристалла литий-иттриевого фторида, активированного ионами празеодима, определны требования к InGaN лазерным диодам, рассчитаны система фокусировки и резонатор Pr:YLF лазера, генерирующего на переходе 3Р1 → 3Н5. Выходная мощность лазерного излучения составила 0,5 Вт.
      2022-02-02
    • Лазерная генерация на кристаллах Er:LiYF4 и Er:LiLuF4 с резонансной накачкой 

      Горбаченя, К. Н.; Курильчик, С. В.; Кисель, В. Э.; Ясюкевич, А. С.; Кулешов, Н. В.; Низамутдинов, А. С.; Кораблева, С. Л.; Семашко, В. В. (2016)
      Исследованы спектроскопические свойства кристаллов Er:LiLuF4 и Er:LiYF4 в спектральной области около 1.5 мкм, а также их генерационные характеристики в условиях резонансной лазерной накачки на длине волны 1522 нм. На кристалле Er:LiLuF4 достигнута максимальная дифференциальная эффективность генерации по поглощенной мощности накачки 44% с длиной волны излучения 1609 нм. Впервые ...
      2016-04-22